增强型场效应管由漏极(D)、源极(S)、栅极(G)组成，分为两个类型即:N沟道增强型场效应管、P沟道增强型场效应管。为压控型元件，增强型场效应管的漏极(D)与源极(S)导通与截止是受栅极(G)与源极(S)之间所加的电压(VGS)控制。
N沟道增强型场效应管的漏极(D)与源极(S)导通需要在栅极(G)与源极(S)之间施加栅极(G)正、源极(S)负的电压，并且要大于其阈值电压；P沟道增强型场效应管的漏极(D)与源极(S)导通需要在栅极(G)与源极(S)之间施加栅极(G)负、源极(S)正的电压，并且要大于其阈值电压。
虽然，增强型场效应管的漏极(D)与源极(S)导通，在栅极(G)与源极(S)之间没有形成电流，但施加在栅极(G)与源极(S)之间的电压的正负端要分别和电源(储能电容)的正负极形成通路，期间的任何断点都会使栅极不能有效的驱动。
图示如下:
C12、C71为滤波储能的电容，为VF1 W5N60C增强型场效应管提供驱动转换电压，其来于两路，一路市电220V整流滤波310V经启动电阻R2供给，另一路二次供电绕组整流后提供。其正极经红色标记a、b、c、d、芯片内部转换后再经e、f、g、h、i加到栅极(G)。负极经蓝色标识a、b、R0电流取样电阻、c、d加到源极(S)，而形成完整电压施加通路。
