巨磁电阻（Giant Magnetoresistance，简称GMR）是一种发生在电磁场中的物理现象，特指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时与无外磁场作用时相比发生显著变化的现象。
一、巨磁电阻的原理和应用
1、巨磁电阻原理：巨磁电阻的现象是由磁性材料中的自旋极化和外磁场之间的相互作用引起的。当外磁场作用于磁性材料时，自旋极化会发生改变，导致电子在材料中的自由传导受到阻碍，从而影响了电阻率的大小。
2、GMR的发现和应用：巨磁电阻的发现和研究为小型化和高容量计算机硬盘的发展提供了重要的技术基础。1998年，三位科学家发现了GMR效应，并因此获得了诺贝尔物理学奖。利用巨磁电阻效应，可以制造出高灵敏度、高稳定性和高速度的磁传感器、磁存储器和磁场控制器等器件。
二、巨磁电阻的计算公式和定义
巨磁电阻一般用GMR表示，计算公式为GMR = (R(h) - R(0)) / R(0)，其中R(h)表示在磁场h作用下材料的电阻率，R(0)表示无外磁场作用下材料的电阻率。
小编总结：
巨磁电阻是磁性材料在外磁场作用下电阻率发生显著变化的现象。通过巨磁电阻效应，可以制造出高性能的磁传感器和存储器等设备。巨磁电阻的计算公式为GMR = (R(h) - R(0)) / R(0)，其中R(h)和R(0)分别表示在磁场作用和无磁场作用下材料的电阻率。
